場(chǎng)效應(yīng)管(FET)，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。
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10N60是600VN溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管芯片,它的特點(diǎn)有：低的導(dǎo)通電阻，低的柵極電荷(典型值為54nC)，開關(guān)速度快，100%雪崩測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)/無鉛封
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廣東P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管芯片采購商3401L是P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管芯片。它的特點(diǎn)：有高級(jí)的加工技術(shù)，極低的導(dǎo)通電阻高密度的單元設(shè)計(jì)。封裝形式：SOT
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深圳低壓場(chǎng)效應(yīng)管芯片直銷價(jià)9926A 是雙N溝的場(chǎng)效應(yīng)管，參數(shù)為20V/4.5A/1W，封裝形式是SOP8，總柵極電荷是11n，典型應(yīng)用于記本電腦的電源管理、便
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深圳低壓場(chǎng)效應(yīng)管芯片批發(fā)價(jià)9926A 是雙N溝的場(chǎng)效應(yīng)管，參數(shù)為20V/4.5A/1W，封裝形式是SOP8，總柵極電荷是11n，典型應(yīng)用于記本電腦的電源管理、便
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3401L是P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管芯片。它的特點(diǎn)：有高級(jí)的加工技術(shù)，極低的導(dǎo)通電阻高密度的單元設(shè)計(jì)。封裝形式：SOT23-3。
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9926A 是雙N溝的場(chǎng)效應(yīng)管，參數(shù)為20V/4.5A/1W，封裝形式是SOP8，總柵極電荷是11n，典型應(yīng)用于記本電腦的電源管理、便攜式設(shè)備、直流/直流轉(zhuǎn)換器
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